中芯宁波申请半导体结构及其形成方法、电子设备专利，避免静电损坏晶圆，有利于提高各个

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国家知识产权局信息显示，中芯集成电路（宁波）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法、电子设备”的专利，公开号CN121075931A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法、电子设备，在半导体结构的形成方法中，凸块结构形成在凹槽结构上，且导电层电连接相邻凸块结构，从而各个凸块结构呈短路状态。在对凸块结构进行热回流处理的步骤中，以及将晶圆的多个芯片区相分离的步骤中，即使在半导体结构中产生了静电，导电层能够将静电安全地传导和释放掉，避免静电损坏晶圆，有利于提高各个芯片的电学性能。此外，在完成晶圆分割处理等易产生静电风险的工序后，对导电层进行图形化刻蚀，从而在需要电气隔离凸块结构之间形成物理上的分隔道，相应的在第一焊盘和第二焊盘之间形成断路，同时保留大部分导电层作为屏蔽结构，有利于在不影响器件测试的前提下，赋予半导体结构抗电磁干扰的能力。

天眼查资料显示，中芯集成电路（宁波）有限公司，成立于2016年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本473304.347718万人民币。通过天眼查大数据分析，中芯集成电路（宁波）有限公司参与招投标项目35次，财产线索方面有商标信息68条，专利信息481条，此外企业还拥有行政许可22个。

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