超硅半导体申请半导体衬底的清洗方法及装置专利，能够提高衬底的清洗洁净度

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国家知识产权局信息显示，上海超硅半导体股份有限公司、重庆超硅半导体有限公司申请一项名为“半导体衬底的清洗方法及装置”的专利，公开号CN121075904A，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体衬底的清洗方法及装置，能够提高衬底的清洗洁净度。为了解决上述问题，本发明提供了一种衬底清洗装置，包括：容器，用于容纳清洗衬底用的去离子水；臭氧发生器，用于向去离子水中通入臭氧；光源，朝向被清洗的衬底，用于对所述衬底的表面实施光照；反射板，设置在容器侧壁与衬底垂直的方向。上述技术方案通过反光板的结构设计，确保臭氧、光照以及清洗液能够协同作用于衬底表面，为实现高效的衬底清洗提供了硬件支持。容器作为清洗的承载空间，臭氧发生器提供强氧化性的臭氧，光源发出特定波长的光与臭氧协同反应，反射板增强光照效果，并且使羟基直接在衬底表面生成，避免了迁移损耗，从而全方位提升清洗效率和质量。

天眼查资料显示，上海超硅半导体股份有限公司，成立于2008年，位于上海市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本117640.3602万人民币。通过天眼查大数据分析，上海超硅半导体股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息250条，此外企业还拥有行政许可193个。

重庆超硅半导体有限公司，成立于2014年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆超硅半导体有限公司参与招投标项目21次，专利信息159条，此外企业还拥有行政许可17个。

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