三安半导体取得功率半导体封装结构专利，提升可靠性

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国家知识产权局信息显示，湖南三安半导体有限责任公司取得一项名为“功率半导体封装结构”的专利，授权公告号CN 223624992 U，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本实用新型提供的一种功率半导体封装结构包括：基板，具有相背设置的第一及第二表面；芯片，设置在基板的第一表面上，芯片的背离基板的表面配置有第一电极焊盘，芯片的朝向基板的表面配置有与基板的第一表面连接的第二电极焊盘；封装体，至少包封基板的第一表面和芯片，基板的第二表面至少部分暴露于封装体外；第一端子，与第一电极焊盘连接；以及第二端子，包括包封在封装体内且与基板连接的连接段和暴露于封装体外的引出段，连接段具有朝向基板的第一表面的下表面以及背离基板的第一表面的上表面，连接段的下表面通过连接材料与基板连接，且连接段的下表面配置有凸起结构。凸起结构可对连接材料起到限位作用、并提供更大的接触面积，提升了可靠性。

天眼查资料显示，湖南三安半导体有限责任公司，成立于2020年，位于长沙市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本450000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南三安半导体有限责任公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目61次，专利信息421条，此外企业还拥有行政许可145个。

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