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如何解读半导体行业三重变局?国产算力重组生变、H200有条件放开、GPU存储芯片涨价潮涌
半导体行业迎来多重变局,国产替代品种半导体设备ETF(561980)今日早盘低开、目前跌超1%,成份股涨跌互现。具体来看,联动科技涨超4%,晶瑞电材、立昂微分别涨超2%、1%,长川科技、富创精密、南大光电等微涨;中微公司、北方华创、寒武纪、海光信息等权重龙头领跌。
具体来看,今日半导体产业链陷入调整或与以下原因有关:
01【海光信息终止吸收合并中科曙光】
12月9日,海光信息公告终止与中科曙光的重大资产重组,使得市场对打造“国产算力航母”的短期预期落空,双方或将回归各自基本面发展。
官方解读本次终止主要因“交易规模较大、涉及相关方较多”且“目前市场环境较本次交易筹划之初发生较大变化”。这也许指向5月筹划以来,地缘政治、技术管制和资本市场环境的快速演变,可能使得原本打造“国产算力航母”的复杂方案风险与不确定性大增。
但影响并非负面,而是转向。
有业内分析指出,本次终止避免了可能因“反向收购”(子公司合并母公司)带来的长期管理整合挑战。且海光信息、中科曙光双方均强调,这不影响后续产业协同与合作,并将继续在系统级产品应用上紧密配合。这意味着,战略重心或从追求资本层面的“物理整合”,可能更务实地转向巩固技术、产品与市场端的“生态协同”。
02【英伟达H200芯片“有条件”放开】
外部环境也出现变化。
据报道,英伟达H200芯片或获对华出口许可,但附加了25%的销售费用等条件,且H200已非英伟达最尖端产品,本次放开被分析师视为一种“折中”,既回应了国际AI算力芯片龙头重获中国市场的诉求,又确保了双方保持至少两代的技术代差。
对国产芯片的“双重影响”:短期或为国内AI训练和高性能计算提供算力补充,加速部分大模型研发,长期更加强化了产业链自主可控的必要性,或促进我国自主研发高端芯片的步伐。
03【存储、GPU持续涨价,“超级周期”有望开启】
与此同时,行业正面临存储与GPU的持续涨价潮。据国信证券,10月DRAM和NANDFlash合约价均上涨,11月DRAM现货价继续上涨,TrendForce预计4Q25一般型DRAM合约价将季增45-50%,含HBM的整体DRAM合约价将上涨50-55%。
本次涨价根源在于AI需求引发的产能虹吸。开源证券指出,从需求层面看,AI服务器对存储的需求呈指数级增长,单台AI服务器的DRAM用量约为传统服务器的8倍,NAND用量约为3倍,2025年AI对存储的需求占比来到40%,未来或将进一步提升。
此外,HDD的产能紧张也导致SSD为代表的半导体存储渗透加速;供给层面而言,各大原厂均表示未来将把大部分资本开支投向持续紧缺的HBM及高利润率的产品。传导至GPU,存储芯片的普涨直接推高了显卡生产成本,形成全产业链涨价。
国金证券认为,存储器是半导体中仅次于逻辑的第二大细分市场,其历史表现与整个半导体周期走势一致,但波动性大于整个行业,大市场与强周期属性并存。随着AI驱动需求提升,我们可能正走在新一轮存储大周期的起点。
04【设备需求核心收益,长期国产替代逻辑不变】
综合来看,外部技术供给的波动与内部成本结构的压力,共同凸显了夯实国内半导体产业基础、突破关键环节的紧迫性。在此背景下,上游的半导体设备、材料等核心环节的战略价值与景气度有望持续提升。
国金证券分析指出,半导体设备位于产业链上游,是支撑芯片制造与封测的核心产业;2025年或是国产半导体设备订单增长与业绩兑现的大年。后续随着AI大模型驱动存储技术向3D化演进,叠加长鑫、长存等国内存储大厂扩产项目落地,国产半导体设备产业链有望迎来新一轮高速增长机遇。
半导体设备ETF(561980)跟踪中证半导,100%覆盖设备、材料、设计等国产替代关键领域。银河证券指出,支撑半导体板块长期发展的逻辑不变,在外部环境背景下,供应链安全与自主可控是长期趋势。设备与材料在国产替代顶层设计下逻辑更硬,数字芯片是算力自主的核心载体,先进封测受益于技术升级。
数据显示,截至12月9日,中证半导2025年年内涨幅为56.72%,区间最大上涨超80%,在中华半导体芯片、国证芯片、芯片产业等主流半导体指数中位列第一。据了解,该指数前十大均为中微公司、北方华创、寒武纪、中芯国际、海光信息等细分产业链龙头,前十大集中度约8成,高弹性特征较为突出。
风险提示:文中提及的指数成份股仅作展示,个股描述不作为任何形式的投资建议。任何在本文出现的信息(包括但不限于个股、评论、预测、图表、指标、理论、任何形式的表述等)均只作为参考,投资人须对任何自主决定的投资行为负责。基金投资有风险,基金的过往业绩并不代表其未来表现,基金管理人管理的其他基金的业绩并不构成基金业绩表现的保证,基金投资须谨慎。
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